دوشنبه ۲۴ شهریور ۹۹ ۱۹:۲۰ ۱۵ بازديد
الگوهای پراش اشعه ایکس پوششهای اکسیداسیون ریز جرقهای تشکیل شده در ولتاژهای اعمالی مختلف در شکل ۱-۱۵ آمده است. در ۲۰۰ ولت، پیک¬های پراش آناتاز، بسیار ضعیف هستند. با افزایش ولتاژ اعمالی، به واسطه اکسیداسیون بیشتر، پیک¬های آناتاز قوی¬تر میشوند. تحقیقات قبلی نیز نشان میدهند که افزایش ولتاژ اعمالی میتواند منجر به افزایش تشکیل ترکیبات بلوری مختلف شود. علاوه بر ولتاژ اعمالی، ترکیب الکترولیت نیز عاملی موثر بر ساختار بلوری این پوششها میباشد. گزارش شده است که افزودن EDTA سدیم به الکترولیت میتواند باعث افزایش تشکیل فاز آمورف شامل عناصر مختلف موجود در الکترولیت شود. همچنین در طول عملیات اکسیداسیون قوس در سطوح الکترود، یک واکنشهای شیمیایی و فیزیکی پلاسمایی پیچیده (مانند یونیزاسیون و تغلیظ پلاسما) رخ داده و در فرایند یونیزاسیون، یک اثر حرارتی قابل توجه ایجاد میشود. در همان زمان، محصولات به سرعت سرد میشوند ، و غالبا باعث تشکیل فاز آمورف میگردند.
مورفولوژی سطح و ترکیب عنصری
این پوششها، در اثر ایجاد جرقهها در طی عملیات پوشش دهی، ساختاری متخلخل دارند. مشاهده میشود که با افزایش ولتاژ اعمالی، تعداد ریز تخلخل¬ها کاهش یافته، در حالی که اندازه آنها افزایش مییاید. نتایج نشان میدهند که ولتاژ اعمالی، اثر قابل توجهی روی مورفولوژی سطح پوششهای تشکیل شده در الکترولیت تحقیق حاضر دارند. در مرجع نیز نتایج مشابهی در سطوح پوششهای حاوی کلسیم و فسفر مشاهده شد. نتایج آزمون طیف سنجی تفرق انرژی اشعه ایکس نشان دادند که سیلیسیم و کلسیم، با موفقیت وارد پوششهای اکسیداسیون ریزحرفهای شدند. غلظت¬های اتمی سیلیسیم، کلسیم و سدیم در ۴۰۰ و ۴۵۰ ولت، به ۱۳٫۳%، 3/7 % و 4/4 % میرسید. با افزایش ولتاژ اعمالی، غلظت سیلیسیم و کلسیم در پوشش به وضوح زیاد میشود، اما غلظت تیتانیم کاهش قابل توجهی پیدا میکند.
مورفولوژی سطح و ترکیب عنصری
این پوششها، در اثر ایجاد جرقهها در طی عملیات پوشش دهی، ساختاری متخلخل دارند. مشاهده میشود که با افزایش ولتاژ اعمالی، تعداد ریز تخلخل¬ها کاهش یافته، در حالی که اندازه آنها افزایش مییاید. نتایج نشان میدهند که ولتاژ اعمالی، اثر قابل توجهی روی مورفولوژی سطح پوششهای تشکیل شده در الکترولیت تحقیق حاضر دارند. در مرجع نیز نتایج مشابهی در سطوح پوششهای حاوی کلسیم و فسفر مشاهده شد. نتایج آزمون طیف سنجی تفرق انرژی اشعه ایکس نشان دادند که سیلیسیم و کلسیم، با موفقیت وارد پوششهای اکسیداسیون ریزحرفهای شدند. غلظت¬های اتمی سیلیسیم، کلسیم و سدیم در ۴۰۰ و ۴۵۰ ولت، به ۱۳٫۳%، 3/7 % و 4/4 % میرسید. با افزایش ولتاژ اعمالی، غلظت سیلیسیم و کلسیم در پوشش به وضوح زیاد میشود، اما غلظت تیتانیم کاهش قابل توجهی پیدا میکند.